Silīcija karbīda ražotāji, kā uzlabot silīcija karbīda tīrību?

Nov 12, 2024Atstāj ziņu

Kā uzlabot silīcija karbīda tīrību?

Lai uzlabotu silīcija karbīda tīrību, ir jāuzsāk izejvielu izvēle, ražošanas process, reakcijas apstākļi, attīrīšanas process un citi aspekti, lai samazinātu piemaisījumu saturu un uzlabotu reakcijas efektivitāti. Tālāk ir minēti vairāki izplatīti veidi, kā uzlabot silīcija karbīda tīrību:


Kā uzlabot silīcija karbīda tīrību?1. Izvēlieties augstas tīrības izejvielas
Galvenās silīcija karbīda izejvielas ir kvarca smiltis (SiO₂) un ogleklis (piemēram, ogļu kokss vai naftas kokss). Augstas tīrības pakāpes kvarca smilšu un oglekļa izejvielu izvēle var ievērojami samazināt piemaisījumu avotu ražošanas procesā.
Kvarca smiltis jāizvēlas ar augstas tīrības pakāpes un zemu piemaisījumu minerālvielām, un oglekļa avota materiāli (piemēram, naftas kokss) jāizvēlas arī ar zemu pelnu, sēra un zema fosfora saturu.


Kā uzlabot silīcija karbīda tīrību?2. Optimizēt ražošanas procesu
Silīcija karbīds parasti tiek ražots ar karbotermisku reducēšanu, tas ir, kvarca smiltis un oglekli karsē līdz aptuveni 2000 ° C elektriskā krāsnī, lai izveidotu silīcija karbīdu. Procesa parametru, piemēram, temperatūras, laika un atmosfēras, optimizēšana var samazināt piemaisījumu veidošanos.
Kontrolējot reakcijas temperatūru un uzturot stabilu atmosfēru (piemēram, aizsardzību pret inertu gāzi), var samazināt blakusproduktu un piemaisījumu veidošanos un uzlabot silīcija karbīda tīrību.


Kā uzlabot silīcija karbīda tīrību?3. Atkārtota saķepināšanas attīrīšana
Pēc vienas saķepināšanas silīcija karbīds joprojām var saturēt piemaisījumus un neizreaģējušas izejvielas. Izmantojot vairākkārtēju saķepināšanu, var vēl vairāk noņemt piemaisījumus un nepilnīgos reakcijas atlikumus, kā arī uzlabot silīcija karbīda tīrību.
Šī metode ir īpaši piemērota augstas tīrības pakāpes silīcija karbīda pulvera ražošanai īpašām jomām, piemēram, pusvadītājiem, saules enerģijai utt.

 

Kā uzlabot silīcija karbīda tīrību?4. Skābju un sārmu apstrāde
Silīcija karbīda mērcēšana ar skābēm (piemēram, sālsskābi, slāpekļskābi, fluorūdeņražskābi) un bāzēm (piemēram, nātrija hidroksīdu) var noņemt metāla piemaisījumus (piemēram, dzelzi, alumīniju utt.) un oksīdus no virsmas un iekšpuses.
Apstrāde ar skābēm bieži ir galvenais solis augstas tīrības silīcija karbīda sagatavošanā, īpaši fotoelektriskajam un pusvadītāju klases silīcija karbīdam. Pēc apstrādes tas rūpīgi jānotīra ar tīru ūdeni, lai noņemtu atlikušās skābes un sārmu sastāvdaļas.

 

Kā uzlabot silīcija karbīda tīrību?5. Hlorēšana augstā temperatūrā
Hlorēšana augstā temperatūrā ir efektīva metode piemaisījumu noņemšanai. Ievadot hlora gāzi vai oglekļa tetrahlorīdu augstā temperatūrā, piemaisījumus (piemēram, dzelzi, alumīniju, kalciju utt.) var pārvērst gaistošā hlorīdā un iztvaicēt, tādējādi uzlabojot silīcija karbīda tīrību.
Šo metodi bieži izmanto, lai ražotu īpaši augstas tīrības pakāpes silīcija karbīda pulveri, taču ir jākontrolē reakcijas apstākļi, lai novērstu paša silīcija karbīda hlorēšanu.

 

Kā uzlabot silīcija karbīda tīrību?6. Fiziskās atdalīšanas metode
Magnētiskos piemaisījumus, piemēram, dzelzi un titānu, var noņemt ar fiziskās atdalīšanas metodēm, piemēram, magnētisko atdalīšanu un gravitācijas atdalīšanu. Šos piemaisījumus var ievadīt silīcija karbīda ražošanas procesā, un tos var efektīvi samazināt ar fizikālām metodēm.
Fiziskā atdalīšana parasti tiek izmantota kā pirmapstrādes metode, ko labāk izmantot kombinācijā ar ķīmiskajām metodēm turpmākajā attīrīšanas procesā.


Kā uzlabot silīcija karbīda tīrību?7. Ultrasmalka slīpēšana un sijāšana
Silīcija karbīda īpaši smalka slīpēšana un sijāšana var efektīvi noņemt lielas piemaisījumu daļiņas. Īpaši smalka slīpēšana, kam seko saķepināšana augstā temperatūrā, var efektīvi samazināt piemaisījumus un uzlabot produkta tīrību.
Īpaši smalkiem pulveriem ir augsta tīrības pakāpe un tie ir vairāk piemēroti lietojumiem ar stingrām daļiņu izmēra un tīrības prasībām elektroniskajos materiālos, optikā un citās jomās.


Kā uzlabot silīcija karbīda tīrību?8. Tvaika pārklāšana (CVD)
Īpaši augstas tīrības pakāpes silīcija karbīda plēves var pagatavot ar tvaiku nogulsnēšanu, uz pamatnes virsmas augstā temperatūrā uzklājot silīcija karbīdu, izmantojot gāzes avotu, piemēram, silānu.
Šī metode ir piemērota augstas tīrības pakāpes silīcija karbīda plāno kārtiņu ražošanai pusvadītāju ierīcēm un optoelektronikai, taču izmaksas ir augstas un produkcija ir maza, galvenokārt augstas pievienotās vērtības produktiem.

 

Kā uzlabot silīcija karbīda tīrību?9. Plazmas attīrīšana
Izmantojot augsto temperatūru un spēcīgo plazmas reducēšanas vidi, dažus silīcija karbīda piemaisījumus var noņemt, īpaši oksīdu un sulfīdu piemaisījumus.
Plazmas attīrīšana parasti ir piemērota izmantošanai īpaši augstas tīrības pakāpes silīcija karbīda ražošanā, jo iekārtu augsto izmaksu dēļ to parasti izmanto maza mēroga augstas tīrības silīcija karbīda pagatavošanai.


Kā uzlabot silīcija karbīda tīrību?Apkopojot
Silīcija karbīda tīrības uzlabošanas metode ir daudzveidīga, izvēloties augstas tīrības izejvielas, optimizācijas procesu, apstrādi ar skābēm, hlorēšanu augstā temperatūrā, fizisko atdalīšanu un citas metodes, piemaisījumus var pakāpeniski noņemt un augstas var iegūt tīrības silīcija karbīdu. Īpašiem lietojumiem (piemēram, pusvadītāji, optoelektroniskās ierīces utt.) var būt nepieciešams apvienot vairākas attīrīšanas metodes, lai sasniegtu stingras tīrības prasības.

Ja jūs interesē, lūdzu, sazinieties ar mums zemāk.

Nosūtīt pieprasījumu

whatsapp

Telefons

E-pasts

Izmeklēšana